NOR flash memory is one of two types of nonvolatile storage technologies. Nonvolatile memory does not require power to retain data.NOR and NAND use different logic gates -- the fundamental building block of digital circuits -- in each memory cell to map data.
| 零件号 | 密度 | 组织. | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 零件号 M25P16-VMF3TPB | 密度 16M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 Micron | 询价 |
| 零件号 M25P16-VMF6TPBA | 密度 16M | 组织 2M×8 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 Micron | 询价 |
| 零件号 M29W160EB70N3F | 密度 16M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 TSOP-48 | 工厂 Micron | 询价 |
| 零件号 M25P40-VMP6TPB | 密度 4M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 QFN | 工厂 Micron | 询价 |
| 零件号 M25P40-VMP6TGBX0 | 密度 4M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 Micron | 询价 |
| 零件号 M25P40-VMP6TGBO2 | 密度 4M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 Micron | 询价 |
| 零件号 M25P40-VMP6TGBM3 | 密度 4M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 Micron | 询价 |
| 零件号 M25P40-VMP6TP | 密度 4M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 MLP8 | 工厂 Micron | 询价 |
| 零件号 M25PX32-VMP6FBA | 密度 32M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 QFN8 | 工厂 Numonyx | 询价 |
| 零件号 M25PX32-VZM6F | 密度 32M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 24-TBGA | 工厂 Micron | 询价 |
| 零件号 AM29F010B90EC | 密度 1M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 TSOP | 工厂 AMD | 询价 |
| 零件号 M29F200FB55N3F2 | 密度 | 组织 128K×16 | 速度 | 刷新 | 包裹 SOIC44 | 工厂 Micron | 询价 |
| 零件号 IS25LQ040B-JULE-TR | 密度 4M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 issi | 询价 |
| 零件号 MT28F200B5WG-6T | 密度 2M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 TSOP | 工厂 Micron | 询价 |
| 零件号 MT28F200B5SG-6B | 密度 2M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 SOP44 | 工厂 Micron | 询价 |
| 零件号 MT28F200B5WG-6B | 密度 2M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 TSOP | 工厂 Micron | 询价 |
| 零件号 MT28F002B5VG-8B | 密度 2M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 TSOP | 工厂 Micron | 询价 |
| 零件号 MT28F200B5WG-6BS | 密度 2M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 Micron | 询价 |
| 零件号 E28F200BX-B60 | 密度 2M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 TSSOP | 工厂 Intel | 询价 |
| 零件号 676225M29W400DB-70N6F | 密度 4M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 Micron | 询价 |
