NOR flash memory is one of two types of nonvolatile storage technologies. Nonvolatile memory does not require power to retain data.NOR and NAND use different logic gates -- the fundamental building block of digital circuits -- in each memory cell to map data.
零件号 | 密度 | 组织. | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 | 操作 |
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零件号 S29GL512P10FFSS72 | 密度 512M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 BGA | 工厂 spansion | 询价 |
零件号 S29GL512P12FFIV13 | 密度 512M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 BGA | 工厂 spansion | 询价 |
零件号 S29GL512P11TFI013 | 密度 512M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 TSOP | 工厂 spansion | 询价 |
零件号 RD48F4400P0VQ0 | 密度 512M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 Intel | 询价 |
零件号 PF48F4040LVYQ0 | 密度 512M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 Intel | 询价 |
零件号 S29AL016D70TF1020 | 密度 16M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 TSOP | 工厂 spansion | 询价 |
零件号 PF38F4470LLYH0 | 密度 512M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 Intel | 询价 |
零件号 PF38F5060M0YB0 | 密度 512M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 Intel | 询价 |
零件号 PF48F4400L0YBP0B | 密度 512M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 BGA | 工厂 Numonyx | 询价 |
零件号 PF48F4400P0VBQEK | 密度 512M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 Micron | 询价 |
零件号 RD48F4400L0YQ0 | 密度 512M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 Intel | 询价 |
零件号 PF48F4400E0YQ0 | 密度 512M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 Intel | 询价 |
零件号 TE48F4400P0V00 | 密度 512M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 TSOP | 工厂 Intel | 询价 |
零件号 TE48F4400P0T00 | 密度 512M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 TSOP | 工厂 Intel | 询价 |
零件号 PF58F0016LVYB0 | 密度 8M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 Intel | 询价 |
零件号 PC28F00AM29EWHB | 密度 1G | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 BGA64 | 工厂 Micron | 询价 |
零件号 PF38F5570MMYB0 | 密度 1G | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 Intel | 询价 |
零件号 PF38F5566MMYC0 | 密度 1G | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 Intel | 询价 |
零件号 PC28F00BM29EWHB | 密度 2G | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 Micron | 询价 |
零件号 S29GL016A90TFIR10 | 密度 16G | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 TSOP | 工厂 spansion | 询价 |