NOR flash memory is one of two types of nonvolatile storage technologies. Nonvolatile memory does not require power to retain data.NOR and NAND use different logic gates -- the fundamental building block of digital circuits -- in each memory cell to map data.
| 零件号 | 密度 | 组织. | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 零件号 M25P10-AVMN6TP | 密度 1M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 SO-8 | 工厂 Micron | 询价 |
| 零件号 S29GL128P10TFIR10 | 密度 128M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 TSOP-56 | 工厂 spansion | 询价 |
| 零件号 S29GL128P90TFIR23D | 密度 128M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 spansion | 询价 |
| 零件号 S29GL128M10TFIR10 | 密度 128M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 TSOP | 工厂 spansion | 询价 |
| 零件号 S29GL128N10FFI012 | 密度 128M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 BGA | 工厂 spansion | 询价 |
| 零件号 M6MGD13TW66CWG-X | 密度 128M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 Renesas | 询价 |
| 零件号 M6MGD13VW34DWG-X | 密度 128M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 Renesas | 询价 |
| 零件号 K8P5615UQA-PI4D0 | 密度 | 组织 32M×16 | 速度 | 刷新 | 包裹 TSOP | 工厂 Samsung | 询价 |
| 零件号 PF38F4050L0YQ1 | 密度 256M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 Intel | 询价 |
| 零件号 PF38F4050L0ZQ0 | 密度 256M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 Intel | 询价 |
| 零件号 RD38F3350LLZQ0 | 密度 256M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 Intel | 询价 |
| 零件号 RD38F4050L0ZQ0 | 密度 256M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 Intel | 询价 |
| 零件号 RD38F4050L0YQ0 | 密度 256M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 Intel | 询价 |
| 零件号 RD38F4050L0YQ1 | 密度 256M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 Intel | 询价 |
| 零件号 PF38F4050L0YQ0 | 密度 256M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 Intel | 询价 |
| 零件号 PF38F3350LLZQ0 | 密度 256M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 Intel | 询价 |
| 零件号 K8Q1116UZB-JI4E0 | 密度 512M | 组织 256M×2 | 速度 | 刷新 | 包裹 TSOP | 工厂 Samsung | 询价 |
| 零件号 S29GL512P90TFCR10 | 密度 512M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 TSOP56 | 工厂 spansion | 询价 |
| 零件号 S29GL512P10TFIR13 | 密度 512M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 TSOP | 工厂 spansion | 询价 |
| 零件号 S29GL512P10TFIR22 | 密度 512M | 组织 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 spansion | 询价 |
