DDR4 Module is the abbreviation of Dynamic Random Access Memory . is the most common system memory.It can read and write at any time, and very fast. usually as an operating system or other running programs temporary data storage medium.
| 零件号 | 密度 | 组织. | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 零件号 M378A2K43BB1-CTD | 密度 16G | 组织 2G×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 Samsung | 询价 |
| 零件号 HMA82GU6CJR8N-VKN0 | 密度 16G | 组织 2G×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 Hynix | 询价 |
| 零件号 MTA16ATF2G64AZ-2G6H1 | 密度 16G | 组织 2G×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 Micron | 询价 |
| 零件号 M378A2K43DB1-CTD | 密度 16G | 组织 2G×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 Samsung | 询价 |
| 零件号 M378A2K43CB2-CTD | 密度 16G | 组织 2G×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 Samsung | 询价 |
| 零件号 HX426C15FBK2/16 | 密度 16G | 组织 2G×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 Kingston | 询价 |
| 零件号 M378A2K43CB1-CTD | 密度 16G | 组织 2G×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 Module | 工厂 Samsung | 询价 |
| 零件号 HMA81GU6JJR8N-VKN0 | 密度 8G | 组织 1G×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 Hynix | 询价 |
| 零件号 HMAA8GL7AMR4N-VKT3 | 密度 64G | 组织 8G×72 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 Hynix | 询价 |
| 零件号 HMA84GL7AFR4N-VK | 密度 32G | 组织 4G×72 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 Hynix | 询价 |
| 零件号 MTA72ASS8G72LZ-2G6B2 | 密度 64G | 组织 8G×72 | 速度 | 刷新 | 包裹 FBGA | 工厂 Micron | 询价 |
| 零件号 M386A8K40CM2-CTD | 密度 64G | 组织 8G×72 | 速度 | 刷新 | 包裹 BGA | 工厂 Samsung | 询价 |
| 零件号 KTH-PL426LQ/64G | 密度 64G | 组织 8G×72 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 Kingston | 询价 |
| 零件号 M386A8K40BM2-CTD | 密度 64G | 组织 8G×72 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 Samsung | 询价 |
| 零件号 HMABAGR7C4R4N-VNTF | 密度 16G | 组织 16G×72 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 Hynix | 询价 |
| 零件号 MTA72ASS8G72LZ-2G6D2 | 密度 64G | 组织 8G×72 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 Micron | 询价 |
| 零件号 M386AAK40B40-CWD | 密度 16G | 组织 16G×72 | 速度 | 刷新 | 包裹 LRDIMM | 工厂 Samsung | 询价 |
| 零件号 HX428C14SB2K2/16 | 密度 16G | 组织 1G×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 Kingston | 询价 |
| 零件号 M378A4G43AB2-CVF | 密度 32G | 组织 4G×64 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 Samsung | 询价 |
| 零件号 M386AAG40MMB-CVF | 密度 16G | 组织 16G×72 | 速度 | 刷新 | 包裹 | 工厂 Samsung | 询价 |
